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DRAM电路设计工程师-DRAM Circuit Design Engineer(J21562)

长鑫科技📍 合肥招聘💰 面议👥 招 2 人
🎓 硕士及以上 🎯 社招 发布于 2026-10-28 来源:企业官网
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岗位描述(节选)

1. 存储架构评估与优化:评估并优化前沿技术中的存储架构与方法论,推动产品性能与效率提升; 2. 全定制电路设计:设计存储产品中IP模块的全定制电路,确保电路性能与功耗目标达成; 3. 功能与性能验证分析:对存储器的功能与性能进行仿真、验证与分析,确保设计满足规格要求; 4. 版图设计与验证管控:监督版图设计与验证流程,包括floor-planning、布局布线及物理验证; 5. 硅片调试支持:为产品工程团队提供硅片调试的技术支持,推动问题定位与解决。 【任职要求】 1. 教育背景与专业知识:硕士及以上学历,微电子、集成电路或相关专业毕业,深入理解数字/模拟电路及CMOS器件物理; 2. 专业技能与资格:能使用Spectre、finesim、Hspice、Virtuoso、Calibre等EDA工具完成电路设计与仿真,具备混合信号电路设计与验证经验,包括电路实现、时序分析与优化; 3. …… 完整岗位描述与官方投递入口,请登录后在岗位详情页查看。

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统计口径:求职者营地实时在招岗位的公开薪资标注,未标注者不计入;区间为 25~75 分位,非薪酬承诺。

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