晶体生长工程师

1. 工艺开发： 设计并执行MPCVD/HFCVD单晶/多晶金刚石生长实验，研究气压、衬底温度、气体配比、微波功率等参数对生长速率、晶体质量与缺陷密度的影响，形成可复现的工艺窗口。 2. 缺陷控制： 控制边缘多晶化、包裹体、位错、界面脱层等缺陷，持续提升晶体尺寸、纯度与结晶质量，配合掺杂（硼/氮）等特殊需求。 3. 籽晶工程： 负责籽晶筛选、预处理与偏压成核工艺；配合籽晶剥离与回收流程，保证母体籽晶可重复使用。 4. 后道协同： 理解长晶应力对面形、翘曲与后道良率的影响，主动向后道（磨抛、切割）提供工艺反馈并协同定位问题。 5. 设备运维： 负责MPCVD/HFCVD设备安装调试、点检保养、故障排查，以及配套制氢机、纯水机、CDA与特气系统的运行维护和安全管理。 6. 知识沉淀： 建立工艺—性能数据库，输出SOP、实验报告、技术总结与专利，参与实验室建设与洁净间规范制定。 【任职要求】 …… 完整岗位描述与官方投递入口,请登录后在岗位详情页查看。

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