岗位描述(节选)
【描述】
• 与设计、验证和集成工程师协作,确保内存控制器和PHY需求被清晰定义,覆盖基于DRAM的边角案例的完整范围。
• 与架构、MCU、DDRPHY和DRAM供应商团队合作,开发和验证Apple的主内存特性。
• 确保DRAM仿真满足Apple的性能、功耗和可靠性要求。
• 定义并满足内部和外部DRAM硅片及封装级测试需求。
• 调试带有DRAM相关缺陷的RMA物料,推动根本原因分析和解决。
• 与DRAM供应商紧密合作,提升Apple系统上的内存性能和能效。
• 与内存供应商一起推动下一代技术节点器件的路线图和技术规格。
【最低资格】
电气工程、计算机工程或相关领域的学士学位。
5年以上DRAM开发经验。
具有DRAM仿真和内存接口验证经验,对DDR-PHY和内存控制器设计有扎实理解。
熟悉内存测试模式和DRAM可靠性原理。
具有DRAM器件失效分析经验。
要求具备专业英语能力。……
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统计口径:求职者营地实时在招岗位的公开薪资标注,未标注者不计入;区间为 25~75 分位,非薪酬承诺。