IGBT研发经理/研发副理/资深工程师

1.负责 12 寸晶圆 IGBT 器件全流程研发，包括器件结构设计、TCAD 仿真、版图设计、流片对接与良率提升； 2.基于 12 寸工艺平台，完成IGBT/FRD 芯片的参数定义、结构优化与电学性能迭代； 3.独立完成 TCAD 器件仿真（Sentaurus/Silvaco）、寄生参数提取、电场 / 温度场优化，输出可靠设计方案； 4.主导 12 寸工艺对接，与TD/PIE 协同完成 DOE、工艺窗口验证、流片问题分析与改善； 制定芯片的电学参数测试方案，分析测试数据，评估器件性能； 5.参与器件的特性测试、可靠性测试及失效分析，撰写详细的设计报告、工艺规范和技术文档。 【任职要求】 1.硕士及以上学历，微电子 / 半导体 / 电力电子相关专业，5年以上从芯片设计、流片、量产的IGBT器件/模块实际研发项目经验； 2.精通 IGBT 器件物理与工作机理，熟练使用 TCAD 仿真软件与版…… 完整岗位描述与官方投递入口,请登录后在岗位详情页查看。

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