半导体设计高级工程师（碳化硅）

1、器件结构设计与仿真：主导SiC沟槽栅MOSFET的元胞结构、终端结构设计，优化电场分布，抑制JFET效应，提升击穿电压与导通性能； 2、版图设计与工艺协同：完成器件版图（Layout）设计，与晶圆厂协同优化关键工艺步骤；确保版图与工艺窗口匹配，提升良率； 3、参与SiC-MOS可靠性及分析失效，提出结构或工艺改进方案； 【任职要求】 1、本科及以上学历，微电子、半导体物理、电子科学与技术、电力电子等相关专业； 2、 3年以上SiC功率器件设计经验，必须具备沟槽栅结构开发全流程经验（从设计到流片）；有8英寸SiC晶圆流片经验者优先； 3、精通TCAD仿真工具（Sentaurus）、 熟练使用版图设计工具（Cadence Virtuoso、L-Edit）； 4、深入理解SiC材料特性，掌握沟槽栅结构设计关键技术：栅氧保护、过渡区电场屏蔽、源极扩展区优化，终端耐压结果；

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