首席工程师

岗位概述 首席工程师，GaN器件工程师，负责开发用于高效功率转换的氮化镓（GaN）功率器件。候选人需具备GaN器件设计与物理方面的专业知识，以推动高性能/高鲁棒性技术。此外，需深入理解陷阱机制及相关表征技术，并具备实践经验。具备跨职能团队中的强大沟通能力，以推动开发路径。 主要职责 · 推动对GaN器件物理、电荷陷阱机制和器件可靠性行为的技术理解。 · 定义并评估新的器件架构，以提高性能、鲁棒性和竞争差异化。 · 在先进器件表征、数据分析和根因调查方面提供技术领导，以推动性能/良率/可靠性改进。 · 与跨职能团队合作，指导技术开发并加速GaN产品的商业化。 [必须] 优先考虑博士，或电气工程或相关领域的硕士，并具有10年以上半导体器件研发经验，主要专注于GaN技术。 具备表征技术和陷阱分析的实践经验：脉冲I-V（栅极滞后和漏极滞后）、瞬态漏极电流、MOS界面陷阱分析，但不限于所列内容。…… 完整岗位描述与官方投递入口,请登录后在岗位详情页查看。