采用高压 BDS GaN 的 H4PFC 及 CCM/CRM PFC 对比

采用高压 BDS GaN 的 H4PFC 及 CCM/CRM PFC 对比 您的角色 您在新角色中的主要职责 背景 / 问题陈述 1. 在传统 AC DC 电源中，当功率水平高于约 160 W 时，由于导通损耗集中在二极管桥中，整流桥的热性能成为关键问题。 2. 降低这些损耗的常见方法是用以下方案替代无源桥： 有源桥，或 无桥 PFC 拓扑，例如图腾柱 PFC。 本项目选定的方法 本项目将采用由双向高压 GaN 器件实现的 H4PFC 架构，以解决整流桥的热限制并提高效率。 硬件评估计划（CCM H4PFC） 使用 Infineon ICE3PCS01 PFC 控制器对 CCM（连续导通模式）H4PFC 实现进行硬件评估。 评估重点领域应包括（如适用）： 功率级组件的热行为（尤其是与基于桥的解决方案相比），o,,控制器在 CCM 运行中的行为， 效率以及功率级中的损耗分布。 仿真 / …… 完整岗位描述与官方投递入口,请登录后在岗位详情页查看。

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