晶体生长工艺工程师（高纯锗方向）

【工作职责】 1、对辐射探测器级高纯锗晶体生长全流程工艺进行研发和规划设计； 2、对锗原料清洗工艺进行开发，稳定工艺流程； 3、对锗原料区熔提纯工艺进行研发，负责解决相关设计、工艺、参数、可靠性等问题，量化区熔提纯关键参数，提高区熔后多晶纯度及高纯区域占比； 4、对高纯锗晶体生长阶段进行工艺开发，设计优化晶体生长温场，进行技术迭代，量化晶体生长关键参数，生长出探测器级纯度的高纯锗晶体，提高高纯锗晶体良率； 5、对生长出的高纯锗晶体进行电学测试、结构分析、杂质种类测试、能级分析等，为区熔提纯和晶体生长的工艺优化提供技术反馈依据； 6、结合工艺结果对区熔炉、拉晶炉等设备进行改造完善，提高工艺效果； 7、撰写专利、论文、相关技术报告、方案、总结及汇报材料等。 【任职要求】 1、材料、物理、半导体、凝聚态物理等相关专业，硕士研究生及以上学历，博士优先（有丰富工作经验者学历可放宽到本科）； 2、3…… 完整岗位描述与官方投递入口,请登录后在岗位详情页查看。

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