（社招）芯片制造工艺开发技术岗(J11601)

1.专业发展研究： （1）跟踪国际InP光子集成领域技术发展方向，围绕高速光通信、相干探测、微波光子、激光通信、光计算等方向展开技术研究并开发产品； （2）规划形成研究所自有的InP光子集成制造工艺技术路线，规划外延结构、光子集成芯片制造工艺平台、器件制备与先进封装工艺发展路径； （3）开展InP有源/无源光子集成器件关键工艺研究，并形成成套工艺整合，包括但不限于外延生长、光刻、刻蚀、二次外延、钝化等； （4）推动InP与硅光、薄膜铌酸锂等材料的异质集成研究技术制定，形成面向未来的异质光子集成能力； 2.技术突破： （1）突破InP光子集成制造中的相关核心关键工艺，如低损耗波导刻蚀、高速电光调制器制备工艺、高速波导型UTC-PD制备工艺、单片集成平衡探测器、高速EML相关制备工艺； （2）提升芯片关键性能指标，如带宽、插损、消光比、功耗、热稳定性等； （3）建立高良率、可量产的InP光子集…… 完整岗位描述与官方投递入口,请登录后在岗位详情页查看。

本站当前在招 2037 个重庆岗位（全城各职能合计），其中 582 个公开标注了薪资。按这些标注统计：月薪（税前）主流区间 5K ~ 9K（25~75 分位），中位约 7K，最低 2K、最高 56K。