主任静态存储器工程师

1. 负责评估新一代SRAM/Efuse器件电学性能, 基础单元的版图设计； 2. 负责静态储存器（SRAM)器件电学性能分析与调适，以及Efuse可靠性提升； 3.负责SRAM器件测试版图设计和测试条件设定； 4.负责SRAM良率测试与器件电学关系度分析，负责SRAM良率窗口与器件电学性能仿真及优化； 5.能够带领工程师完成一个技术节点或产品的SRAM器件研发。 【任职要求】 1.Logic 工艺流程和器件调适经验5年以上； 2.熟悉Klayout，JDV, JMP等数据分析软件, and Spice Model 软件； 3.熟悉器件电性量测方法。

本站当前在招 1430 个杭州技术研发岗位，其中 60 个公开标注了薪资。按这些标注统计：月薪（税前）主流区间 20K ~ 32K（25~75 分位），中位约 28K，最低 5K、最高 90K。