岗位描述(节选)
1. 开发并优化用于光通信的InP基光电材料与器件结构的MOCVD生长工艺。
2. 跨职能协作,解决质量与产品改进问题;提出、开发并验证设备与工艺优化方案。
3. 根据需要,支持并与外延团队、MOCVD及AMEC其他部门的所有成员互动
4. 对InP基材料与器件结构进行高级表征(XRD、PL、AFM、LEI、HALL、ECV),并维护相关设备。
5. 为客户进行实验室现场工艺演示,或支持现场工艺演示及与GaAs太阳能电池应用相关的技术讨论。
Requirements:
1. 材料科学、物理学和/或电气工程硕士或博士学位;
2. 3~5年半导体或光子制造环境中InP基MOCVD外延生长的相关经验。
3. 对III-V族化合物半导体有深入了解,尤其是InP基材料体系(InGaAsP、InGaAlAs)、MQW设计以及应变/晶格匹配概念。
4. 具备生产规模MOCVD设备的实际经验,包括配方开发……
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统计口径:求职者营地实时在招岗位的公开薪资标注,未标注者不计入;区间为 25~75 分位,非薪酬承诺。