首席中压（MV）功率 MOSFET 工艺集成工程师 Principal Medium Voltage (MV) Power MOSFET Process Integration Engineer

我们正在寻找一位积极主动、技艺精湛的工程师加入我们的中压（MV）功率沟槽（Power Trench）MOSFET 团队。成功入职者将在下一代 MV 屏蔽栅沟槽（shielded-gate trench）MOSFET 技术的设计与开发中担任关键角色。该岗位需与设计、应用、市场团队以及外部晶圆代工伙伴紧密协作，推动创新、优化性能并加速产品产业化。 主要职责： 为下一代 MV 屏蔽栅沟槽 MOSFET 技术定义并确立关键工艺模块 搭建开发前沿 MV 屏蔽栅沟槽 MOSFET 技术所需的关键工艺模块 在每个开发周期进行晶圆探针测试，并分析封装后产品的性能数据 在每个开发迭代分析晶圆级电性测试结果与封装级性能数据 支持基于成熟技术平台的衍生技术开发 主导良率提升活动并支持技术向量产转移 为基于既有成熟技术平台的衍生产品开发贡献力量 任职要求 电气工程、物理或相关领域的博士（优先）或硕士 不超过 …… 完整岗位描述与官方投递入口,请登录后在岗位详情页查看。